二氧化钒薄膜的制备及其光学电学特性研究

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二氧化钒材料是一种被广泛研究的热敏材料,它有多种晶型,其中VO_2(M)型和VO_2(B)型各有特点,适合不同的用途。VO_2(M)是一种具有特殊相变性能的功能材料。随着温度的变化,该晶型会发生半导体态与金属态的可逆变化,同时,电阻和红外透射率等物理性质也发生突变,其相变点在68℃附近。利用这些性能可做热致开关,还可应用于抗激光辐射。VO_2(B)型在20℃-100℃不存在相变,又具有适当的电阻和较高的电阻温度系数。这些优点对于非制冷红外探测热敏材料是非常有利的。本文采用了射频磁控溅射方法
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