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当今飞速发展的数字化、信息化时代需要保存和处理大量信息，这就要求信息存储介质具有高密度、大容量、高速度等特点。磁记录具有记录密度高、稳定可靠、可反复使用、信息写入与读出速度快等特点，从而成为当今信息社会必不可少的信息记录方式。 在垂直磁记录材料中，薄膜材料因其晶体结构和磁性等方面的优势在磁记录领域中得到广泛应用，Co基合金薄膜是其中最典型的代表。随着对磁记录介质性能要求的逐渐提高，向Co基合金薄膜中添加掺杂元素以提高其磁晶各向异性已成为研究的热点。 本文通过磁控溅射技术制备了系列不同成分与厚度的(Co0.85W0.15)100-xPtx薄膜，并利用X射线衍射技术和振动样品磁强计对薄膜的微观结构、生长取向及磁性能进行了研究，探讨了晶体结构与磁晶各向异性能之间的关系，揭示了磁性层磁晶各向异性能的主要影响因素。获得了如下主要研究结果: 1.在具有hcp结构的Ru下底层上实现了hcp结构Co基薄膜的外延取向生长，MgO(111)//Ru(00·2)//CoW(00·2)具有良好的取向附生关系。Omega扫描和Φ扫描结果表明薄膜成膜质量良好。 2.随着磁性层薄膜厚度的增加，Co(00·2)衍射峰强度逐渐增强，且衍射峰位向左稍有偏移。随着Pt含量的增加，Co(00·2)峰明显向衍射角减小的方向移动。 3.外延生长薄膜中产生的原子堆垛层错主要为生长层错，且生长堆垛层错密度α均低于13％，堆垛层错中没有变形层错存在。fcc/hcp体积百分数基本控制在15％左右。 4.随着Pt含量的增加，饱和磁化强度Ms略有升高。Pt的添加使CoW薄膜的磁晶各向异性能可到6.1×106erg/cc以上，满足1Tbit/inch2的高磁记录密度要求。 5.薄膜的晶格常数a、c和c/a随着膜厚的增加而先增加而后趋于稳定，但随着Pt含量的增加而增加。磁晶各向异性能Ku随着晶格常数比c/a的减小而增大。分析结果表明，堆垛层错和fcc/hcp比对薄膜的磁晶各向异性影响不大，晶格常数比c/a是影响磁晶各向异性Ku的最主要微观结构因素。 6.随着膜厚和成分的改变，体各向异性Kv和表面各向异性Ks发生变化，对磁晶各向异性常数均有一定的影响，导致Ku与1/t成非单调线性关系。