【摘 要】
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Pb(ZrxTil-x)O3(PZT)薄膜是一种钙钛矿型材料，其所具有的优越的压电性和热释电性已被广泛应用到射频声波滤波器、微电子机械系统和非致冷红外传感器：其优越的铁电性(如高剩余极
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Pb(ZrxTil-x)O3(PZT)薄膜是一种钙钛矿型材料，其所具有的优越的压电性和热释电性已被广泛应用到射频声波滤波器、微电子机械系统和非致冷红外传感器：其优越的铁电性(如高剩余极化强度、低矫顽场)，已被广泛用于非挥发性随机存储器。SOI(silicon on insulator)是一种在高性能IC技术开发中有重要应用的材料。本文实验中用电子束蒸发法在n-Si(100)和SOI基底上制备了PZT薄膜，研究了薄膜的结构特性、表面形貌、红外吸收特以及铁电性能，以便在SOI基底上制作PZT薄膜器件。
X射线衍射(XRD)的结果表明，在n-Si(100)基底上，Pb(Zr0.05Ti0.95)O3、Pb(Zr0.5Ti0.5)O3、Pb(Zr0.95Ti0.05)O3薄膜在生长过程中均可形成(101)择优取向，能够形成择优取向的温度随Zr/Ti的增大而升高：三种成份的薄膜在真空中退火均能够形成(110)择优取向，能够形成(110)择优取向的温度随Zr/Ti增大而升高；在空气中退火三种成份的薄膜分别形成(101)、(110)和(100)择优取向，能够形成择优取向所需的最低温度随Zr/Ti的增大而升高。在SOI基底上，PZT50/50薄膜在真空中380℃退火形成(110)择优取向：高纯氮气中500℃退火后，薄膜呈(Ⅲ)择优取向的趋势。
(110)和(100)方向的晶粒在长红外波段有明显的吸收峰，而(101)方向的晶粒在长红外波段没有明显的吸收峰：SOI基底上生长的经高纯氮气保护在500℃退火10min的薄膜的电滞回线的测量结果显示其自发极化强度和剩余极化强度分别为12.3u C/cm2和3.85uC/cm2。
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