异质结双极晶体管(HBT)具有高频、高速、功率密度高、相位噪声低、线性度好等特点,在低相位噪声振荡器、高效率功率放大器、宽带放大器中都有广泛的应用。随着HBT应用的不断开展,建立精确的器件模型并对其进行模拟,这对集成电路的设计与生产都有着十分重要的指导意义。因为器件模拟可以缩短生产周期,大大降低成本,对未来的发展方向有很好的预见性。InP/InGaAs材料具有很高的电子迁移率,将它应用于HBT器件中,可以得到很高的电流增益和很好的高频性能。为了能够准确地模拟InP/InGaAs材料的HBT,本文采用了流体动力学模型(HD),在流体动力学模型中,载流子的平均能量中含有动能项,由于在小尺寸的半导体器件中,载流子的平均速度非常的高,所以动能项已经不能忽略。考虑InP/InGaAs材料的基本属性,本文首先建立了低场迁移率模型、高场迁移率模型,所建立的模型能够较好地反映材料的载流子输运过程和实际的速度电场关系。针对HBT器件的基本物理过程,本文还建立了相应的SRH复合模型、Radiative复合模型、俄歇复合模型和热电子发射模型,仿真得到较为准确的器件直流特性。基于仿真的结果,研究了影响器件性能的基本因素。论文的最后探讨了几种重要的HBT器件制造工艺,为进一步开展器件工艺实验研究奠定了基础。