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ZnS作为典型的宽禁带半导体材料,是性能优越的掺杂主体材料,其掺杂Mn的纳米材料的合成和光学性质的研究一直是倍受关注的课题。一维结构的ZnS掺杂Mn纳米材料具有更加独特的光学性质,其合成与光学性质的研究才刚刚开始,其研究还存在很多的挑战。半导体量子点的上转换发光最近引起了人们的广泛关注,其上转换的机理还存在争议。本论文围绕ZnS掺杂Mn纳米棒的合成及其光学性质、高压相变性质的研究和CdSe/ZnS/核壳量子点的上转换发光性质在高压下的研究两部分内容展开。采用溶剂热合成方法,通过选择适当的锌源,首次通过湿化学方法制备出了具有纤锌矿结构的尺寸小、形貌均一、长径比大的ZnS掺杂Mn纳米棒。对其光致发光性质进行了研究,我们发现具有纤锌矿结构的ZnS掺Mn纳米棒在595 nm左右的Mn杂质能级发光强度随掺杂浓度的增加而增强,与文献报道的闪锌矿结构的ZnS掺Mn纳米棒相比,纤锌矿结构的ZnS掺Mn纳米棒具有更优越的光学性质。利用同步辐射在位高压XRD技术研究了具有纤锌矿结构ZnS:Mn纳米棒的压致相变过程。发现其相变序列发生改变,直接由纤锌矿转变到岩盐矿结构,中间没有出现闪锌矿结构,其相变压力在17.0 GPa左右,这要高于其他形态纳米ZnS材料,这可能是由于ZnS:Mn纳米棒的特殊形貌引起的。利用金刚石对顶砧高压技术,首次在高压下研究了CdSe/ZnS/核壳量子点的上转换发光性质。发现在近红外和可见光波段两不同激发条件下CdSe/ZnS量子点上转换发光的来自于两不同的电子能态和两不同的上转换过程,在近红外波段的830 nm激发下来源于带隙跃迁,上转换过程为一双光子吸收过程;在可见光波段633 nm激发下来源于表面态,上转换过程为声子辅助的单光子吸收过程。我们的研究结果对半导体量子点上转换发光的机理给出了进一步的解析。