半导体激光器是当今信息社会中最重要的半导体器件之一,对其电特性的研究一直都是备受重视的课题。本文中我们在此方面的主要工作可以概括如下:1、在本文中,作者对所在研究小组表征半导体二极管的原有交流小信号法做了非常重要的改进,并用于半导体激光器的正向电特性的表征和测试,还与电导数等方法的测试结果进行了比较和分析。大量的实验证实,本文提出的方法对于半导体激光器的工作状态时的电参数求解是一种十分行之有效的方法,突出的特点是它能够详细求解器件的各种电参数对电压或电流的函数关系,其中包括串联电阻的非线性变化。2、对大量的激光二极管进行了测试,实验发现,恰在与电导数下沉对应的激射阈值处,直接测量得到的半导体激光器表观电导(表观电阻)和表观电容都出现了幅度可观的不连续跳跃。大量的实验结果证实,这是一种半导体激光器中普遍存在的现象,它可用于半导体激光器阈值的确定。3、数据处理的结果表明,半导体激光器的结电压、串联电阻、结电容和理想因子等电参数在阈值附近的行为也存在着明显的阶跃,之后结电压趋于饱和。可以判定,在阈值附近半导体激光器的表观值、电参数和电导数曲线同时都出现的不连续,应是半导体激光器阈值附近自身行为的直接反映。我们还发现了在较大电压和较小频率下半导体激光器的结电容具有负值。在阈值后,结电压饱和的实验结果为原有半导体激光器的结电压理论提供了一个有力的实验证据。而阈值附近电参数的阶跃和负电容现象则都对现有的半导体激光器的理论提出了挑战,有待于进一步深入的实验与理论研究。