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随着近几年人们对高亮度、大功率白光LED需求的提高，大功率白光LED集成封装技术面临着巨大的考验。首先，对于电极同侧设置的LED，在集成封装时容易实现芯片之间的串并联连接，从而保证集成封装器件的高亮度。然而对于电极上下设置的LED芯片，由于芯片底部为导电电极，因此在电极上下设置的LED芯片集成封装时我们面临着巨大的考验。其次，在采取集成封装方式获得高亮度白光LED的同时，由于多芯片之间的间距不同，导致集成器件整体的发光效率较低。基于以上技术难题，本文通过改进集成封装结构，成功实现了电极上下设置的LED芯片的集成封装。并且通过改变集成封装结构中多芯片的间距，优化并筛选出了获得较高发光效率的芯片间距。具体研究内容如下：通过在铜支架上增设氧化铝绝缘层，成功实现了电极上下设置的LED芯片的串联连接。同时，为了获取更高的出光效率，本文在氧化铝绝缘层上增设银质反射层。然后将多组串联连接的LED芯片并联连接。首次实现了电极上下设置的LED芯片集成结构。本文设计的集成器件为各串联支路为3颗1W的电极上下设置的LED芯片，串联支路为3条，共9颗。对于所制备的电极上下设置的LED集成器件，通过改变荧光粉与封装胶的比例，实现了不同色温的白光,并分析了集成器件的色温、发光效率与电流的关系以及正向压降与器件工作时间的关系。我们发现，随着电流的增大,LED集成器件的发光效率降低、色温升高。器件的正向压降随着工作时间的增加先逐渐降低，然后保持不变。通过制备芯片间距不同的样品，分析了集成器件各芯片间的距离与器件发光效率的关系，优化并筛选出最利于本集成器件发光效率的芯片距离，即2.0mm。最后我们分析了导致集成封装器件发光效率出现变化的两个主要原因：1）芯片间距的不同导致芯片所发出的光线分布不均匀，从而出现亮斑与暗斑，最终影响器件发光效率。2）芯片间距所带来的散热问题。当芯片间距过小时，各芯片产生的热量不仅会影响自身的发光性能，而且还会对其附近的芯片产生影响，导致器件温度升高，温度的上升会导致LED芯片P-N结载流子复合几率下降，从而导致整个器件发光效率降低。