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Ba(Mg<,1/3>Ta<,2/3>)O<,3>微波陶瓷介电性能研究

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【摘 要】

：

Ba(Mg1/3Ta2/3)O3(简称BMT)陶瓷是
(A=Ba，Sr；
=Mg，Zn；
=Nb，Ta)型复合钙钛矿结构化合物中的一种。它是低
类微波介质陶瓷材料的最优秀的典型代表，可作为滤波器、谐振器上的介质材料应用在微波范围。但此种材料的烧结温度过高，达到1600℃，极易造成Mg、Ba等组分的挥发而使其介电性能恶化。因此，以改善其烧结性能，降低烧结温度，并提高其介电性能为主要目的的对BMT陶瓷

【作 者】

：

刘丹丹 

【机 构】

：

天津大学

【发表日期】

：

2004年12期

【关键词】

：

复合钙钛矿化合物 微波介电性能 烧结性能 微观结构 低温相 氧八面体畸变 

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Ba(Mg1/3Ta2/3)O3(简称BMT)陶瓷是
(A=Ba，Sr；
=Mg，Zn；
=Nb，Ta)型复合钙钛矿结构化合物中的一种。它是低
类微波介质陶瓷材料的最优秀的典型代表，可作为滤波器、谐振器上的介质材料应用在微波范围。但此种材料的烧结温度过高，达到1600℃，极易造成Mg、Ba等组分的挥发而使其介电性能恶化。因此，以改善其烧结性能，降低烧结温度，并提高其介电性能为主要目的的对BMT陶瓷材料改性研究就显得十分必要。本文分别研究了两种A位和B位离子取代化合物对系统烧结性能

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