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Heusler合金具有优良的铁磁性、良好的热稳定性、高自旋极化率和高居里温度等诸多优点,因而成为自旋电子学器件的候选材料和材料科学领域的研究热点。由于Heusler合金的磁性和自旋输运性质强烈依赖于化学组分和晶体结构有序度,故使用元素替代(掺杂)方法有助于更好地研究其电子输运特性,甚至设计出更加适应实际应用需求的材料。对于典型的Fe3Si二元Heusler合金,掺杂Mn和Co原子可分别替代不同占位的Fe原子,进而使材料呈现不同的晶体结构、磁性和电输运性质。我们用磁控共溅射方法在MgO单晶基底上制备了