射频功率放大器是现代无线通信设备的关键组成部分之一,在雷达、电子导航、电子对抗设备、卫星通讯传播等领域中有着广泛的应用。功率放大器是把直流电源转换为所需要的高频交流电源转换过程中的重要装置,它正在朝着高频化、低功耗、高功率容量、高效率的方向发展。本课题的C类功率放大器用MOSFET作为核心元件,目的是提高放大器的效率和频率,同时获得较大的功率输出。功率MOSFET以其高频性能好、开关速度高、开关损耗小、输入阻抗高等优点应用广泛。与此同时,单只功率MOSFET的有限容量也成为亟待解决的问题。本课题通过MOSFET的并联来扩大电流容量,设计了一种工作在C类状态下并联功率MOSFET放大器。其主要工作分为三个部分,即：电路结构的选取与设计；基于该结构的驱动电路的设计；在该结构下MOSFET并联均流问题的探讨与研究。由于功率MOSFET的直流伏安特性、极间电容、温度特性等对驱动信号的影响很大,因而本文根据功率MOSFET对驱动电路的要求,对电路中的正弦波发生电路,信号放大电路进行了设计。试验结果证明了所设计驱动电路的可行性。主电路设计了一种单相交流输入,输出功率为100W的射频功率放大器,它采用两个MOSFET并联,工作在C类状态下,工作频率为10MHz,其中MOSFET器件采用MAX公司生产的ARF461作为元件,通过计算,给出了该系统的设计参数,并最终给出了该电路的仿真调试结果。并联功率MOSFET是增加系统电流容量的一种方法,在实际应用中会出现并联的MOSFET由于电流分配不均衡而损坏的问题。本文对影响功率MOSFET并联均流的因素进行了比较详细的分析,并提出了一种较为简单有效的解决方案,然后根据该解决方案对设计的主电路进行了参数修正,使得并联的MOSFET较好的工作在均流的状态下。