随着集成电路制造技术的发展，其主要衬底材料单晶硅片的直径不断增大，使得传统的硅片加工方法面临许多新问题。其中比较突出的问题是硅片尺寸增大后，其清洗难度加大，由于硅片表面清洗度不足，硅片的良品率及可靠性不易保证。因而很有必要开展大尺寸硅片的超精密磨床及其关键技术的研究，磨床清洗系统动态仿真技术就是其中之一。生产实践表明，硅片的清洗工艺对其加工的表面质量以及加工效率有重要影响。因此，研究优化硅片超精密磨床清洗系统加工工艺，对我国开发和研究具有自主知识产权的高精度、高质量和高效率的大尺寸硅片超精密加工装备，具有重要的理论意义和实用价值。本文通过对比硅片生产中的清洗设备及清洗液对硅片清洗效果影响，确定了旋转喷淋清洗设备及其使用的去离子水混合液作为清洗液。该清洗方案具有结构简单、成本低廉、清洗效果突出并且对操作者及加工环境危害小等优点；通过对清洗加工不同工艺参数的分组对比试验，论证了当各个参数值不同时，硅片表面的平整度和清洗度等变化，最终确定了硅片清洗时硅片刷的转速、硅片转速及清洗液的喷淋冲速的参数值；通过对虚拟样机清洗系统加工过程的动态仿真，优化了清洗加工中各工序时长，实现了清洗加工过程同硅片传输及磨削等过程协调运行。本文主要通过对比试验的方法来优化清洗加工的工艺参数，最终得出了一套可以达到市场需要的清洗度标准又不影响硅片面型精度的清洗加工工艺参数，基于此工艺参数加工的硅片表面清洗度能满足硅片市场化应用的要求，可以达到国外先进技术的同类型产品标准。