ABO₃钙钛矿型材料具有优异的电学性能如压电效应、热释电效应,因此在存储器等领域都有广泛应用。随着现代科学技术和纳米技术的发展,当今对于器件的需求日渐小型化,因此制备出小尺寸和高活性的ABO₃型纳米材料可促进其在光电领域的发展。基于基板ABO₃纳米点属于零维纳米材料范畴,本文针对此种多元组成材料体系制备了钛酸铅（PT）、锆钛酸铅（PZT）和钛酸钡（BT）纳米点结构。本文将溶胶-凝胶法和旋涂技术相结合形成分相自组装法,在基板上成功制备了尺寸密度可控的多元组成纳米点。在Si基板上制备了PT纳米点,研究了纳米点的尺寸和密度与溶胶浓度和热处理温度的关系。结果表明:其纳米点尺寸随PVP浓度的增大而减小,随Pb浓度的增大而增大;乙酰丙酮浓度可影响基板纳米点的结构,形成三角状、四方状或花状结构;热处理温度对PT纳米点的物相影响较大;700℃对纳米点处理后,XRD和TEM同时显示形成了钙钛矿型PT;PT纳米点的尺寸在20-100nm之间,密度范围可控制在0.4×10¹⁰-3.7×10¹⁰ dots cm^-2。采用分相自组装法制备了PZT纳米点,研究结果表明:PZT纳米点尺寸随PVP浓度的增大而变小,随Ti浓度的增大而增大,与PT形成规律相似;高锆钛比使溶胶粘度增大影响分相,只会形成薄膜结构;在硅、石英和钛酸锶作为基板时,后两者上生成的PZT纳米点尺寸和分布较为均匀。采用分相自组装法制备了BT纳米点,结果表明:由于溶胶薄膜分相不完全,纳米点结构不明显,热处理温度上升时便形成了薄膜形态。对PT纳米点场发射性能进行研究,其场发射电流最高可达270μAcm^-2;同时还利用CCD观测了其场发射电子轰击荧光粉的发光效应,发光均匀一致;经过Fowler-Nordheim变换发现纳米点场发射效应符合F-N理论,呈较好的线性关系;显示出PT纳米点具有良好的场发射性能。对PT纳米点的铁电性能和电学性能进行测试,发现纳米点铁电性能随纳米点尺寸增大变得愈加饱和,电容值在低频区迅速减小,到达高频区趋于稳定;介电损耗在高度小于50nm的情况下仍可保持较低水平即为0.34。对PT和PZT纳米点PL谱进行研究,其PT和PZT纳米点存在发光现象,PT纳米点发光峰随Pb含量的不同会有蓝移现象即从373nm（3.33eV）变到363nm（3.42eV）处;PZT发光峰在350nm（3.54eV）。其发光机理主要基于以下两个方面,一方面由于PT无定型的存在可以引入局部尾态,在其中有大量自陷电子和空穴。另一方面,无定型PT中的Ti有两种配位方式,五氧配位（[TiO₅]金字塔四面体）和六氧配位（[TiO₆]八面体）。[TiO₅]和[TiO₆]共同存在导致电荷的不平衡,从而激发空穴与电子复合。