【摘 要】
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采用预制膜硫化法制备铜锌锡硫(CZTS)薄膜,分别在350□,400□,450□,500□,550□进行硫化,研究了硫化温度对薄膜特性的影响.结果表明:硫化温度低于400□时生成CZTS的硫化反应基本不发生,薄膜中主要发生Cu6Sn5和Cu5Zn8两相中元素相互扩散的合金化过程,同时有少量硫化物Sn3S4和ZnS生成;硫化温度为450□时,合金相消失,硫化后的薄膜同时含有CZTS和SnS;硫化温度
【机 构】
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清华大学材料学院,先进成形制造教育部重点实验室
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采用预制膜硫化法制备铜锌锡硫(CZTS)薄膜,分别在350□,400□,450□,500□,550□进行硫化,研究了硫化温度对薄膜特性的影响.结果表明:硫化温度低于400□时生成CZTS的硫化反应基本不发生,薄膜中主要发生Cu6Sn5和Cu5Zn8两相中元素相互扩散的合金化过程,同时有少量硫化物Sn3S4和ZnS生成;硫化温度为450□时,合金相消失,硫化后的薄膜同时含有CZTS和SnS;硫化温度为500□时薄膜的主要组成相为CZTS,其晶粒尺寸达2μm,但表面粗糙;硫化温度为550□薄膜中CZTS晶粒尺寸约为2μm,表面平整.
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大面积CIGS电池组件中子电池互连件图型、激光刻划参数等对组件性能影响显著.本文采用三步蒸发工艺在覆有钼膜的玻璃衬底上制备出电池吸收层铜铟镓硒材料,并完成其它电池层材料的制备.在电池制备过程中,采用激光刻蚀技术进行组件中子电池互连制备,研究了激光功率、重叠率、刻蚀线宽等参数对材料互连质量的影响.所制备的1Ocm×1Ocm玻璃衬底上电池组件效率开路电压达到2.4V,子电池互连引起的面积损失约9.8％
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