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提出采用神经元MOS管设计动态电压型三值电路的新方案.利用神经元MOS管的阈值可变特性,设计了三值反相器、三值文字运算电路, 这些电路的实现完全基于标准的双层多晶硅CMOS工艺,且结构不复杂.通过在预充电阶段将输出信号预充至逻辑值“1”,避免了电路级联时的电荷再分配问题,也无需插入缓冲器.此外,所提出电路具有输出信号逻辑摆幅完整,无直流功耗,延迟较小等特点.采用TSMC 0.35μm双层多晶硅CMOS工艺参数的HSPICE模拟结果验证了所提出设计方案的正确性,通过模拟给出了能耗比较和输出延迟等数据.