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Ⅱ-Ⅴ族半导体材料，如磷化锌、磷化镉等是重要的窄带隙半导体，在光电探测器、激光器方面有着重要的应用前景。采用化学气相沉积法，我们在国际上率先开展了一维Ⅱ-Ⅴ族半导体材料及其在纳米器件中的应用的相关研究。在本报告中，将简要介绍近几年我们在该领域开展的相关工作。
基于一维Ⅱ-Ⅴ族半导体纳米结构的光电探测器的研究
【摘 要】
：
Ⅱ-Ⅴ族半导体材料，如磷化锌、磷化镉等是重要的窄带隙半导体，在光电探测器、激光器方面有着重要的应用前景。采用化学气相沉积法，我们在国际上率先开展了一维Ⅱ-Ⅴ族半导体
【机 构】
：
中国科学院半导体研究所,北京,100083
【出 处】
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第九届全国无机化学学术会议
【发表日期】
：
2015年期
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