【摘 要】
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通过对传感器芯片敏感阻条在敏感受力薄膜位置的不同变化进行分析、试验和探索，确立了敏感阻条随着位置的变化，在相应挠度下纵向发生形变对应的横向敏感电阻发生变化的线性
【机 构】
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沈阳仪表科学研究院 辽宁沈阳 110043
【出 处】
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第十二届全国敏感元件与传感器学术会议
论文部分内容阅读
通过对传感器芯片敏感阻条在敏感受力薄膜位置的不同变化进行分析、试验和探索，确立了敏感阻条随着位置的变化，在相应挠度下纵向发生形变对应的横向敏感电阻发生变化的线性对应关系，成功的找到了具有最佳线性变化的电阻位置为内外2点，而非传统认为的内l点，为设计出高精度传感器芯片打下了坚实的基础，同时也使传感器芯片更加小型化的实现变成了可能。
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