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硅作为锂离子电池负极材料,理论比容量大(4200mAh/g),嵌脱锂电位低。然而在嵌脱锂循环过程中体积变化较大(>300%),为抑制硅材料的体积膨胀,采用Cu催化SiH4,化学气相沉积制各硅纳米线(Si NWs),对其进行了SEM表征及充放电循环性能研究。我们所制备的材料中含有许多平均直径50nm的弯曲的纳米线,其倍率性能优良,1C和0.05C倍率下首次库仑效率分别为87%和88.2%,其首次充放电比容量在2000mAh/g左右;具备优良的循环性能,循环100圈后仍能维持约1000mAh/g的比容量。