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本文采用射频等离子体化学气相淀积方法(RF-PECVD)方法，以溴乙烷(C2H5Br)为单体，氢气(H2)为载气，室温条件在硅片、石英衬底上生长了掺溴非晶碳氢薄膜(a-C:Br:H)，用FTIR、 UV-VIS光谱及多高斯(muti-Gaussian)解谱分析对溴掺杂及掺杂浓度对样品结构及光学性质的影响进行了研究。