第一性原理对GaSb的本征缺陷和Te掺杂缺陷性质研究

来源 :第十一届全国正电子湮没谱学会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:areyoureadygolaopo
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  通过第一性原理对GaSb本征缺陷和Te掺杂的GaSb缺陷进行了研究.我们研究的缺陷在不同的生长条件下稳定性不同.对于GaSb的本征缺陷,最重要的是GaSb的反位缺陷.另外两种重要的缺陷是Ga空位和间隙Ga.对于Te掺杂的GaSb,形成TeSb后体系更加稳定,所以主要以这种形式存在.而另一种重要的缺陷VG aTeSb作为acceptor,导致p型.然而TeSb缺陷浓度更高,作为doner可以失去电子.因此更多的形成TeSb这样为n型掺杂,与实验符合的很好.计算出来的TeIVGa的形成为2.26 eV,TeGa的形成能为2.14 eV,这样与不掺杂的GaSb相反,因此认为Te的扩散在Sb-rich下会比Sb快一些.
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