【摘 要】
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本文提出一种具有多埋层的整流器件,借助仿真软件,通过对传统单埋层整流器件(BLR)和本文所提新型的多埋层整流器件的各项参数进行比较可得,本文所提新型多埋层整流器件在同一
【机 构】
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电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川 成都 610054
【出 处】
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2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
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本文提出一种具有多埋层的整流器件,借助仿真软件,通过对传统单埋层整流器件(BLR)和本文所提新型的多埋层整流器件的各项参数进行比较可得,本文所提新型多埋层整流器件在同一阻挡电压下可以增加漂移区浓度,减小导通电阻,从而减少器件的导通压降;同时本文提出的新型多埋层整流器件在不改变器件尺寸条件下可以获得更好的阻挡能力得到更大的击穿电压,相比于传统结构,外延单埋层击穿电压提高了18.5％,而外延双埋层击穿电压提高了21.5％。
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