【摘 要】
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采用聚硅氧烷(PSO)为主要原料,在温度1200-1350℃、氩气气氛中制备块体SiOC陶瓷,通过对SiOC陶瓷HF溶液侵蚀处理,获得具有高比表面积和微介孔分布的块体SiOC陶瓷.利用XRD,SEM,TEM,DSC,BET和Raman光谱对陶瓷前驱体、SiOC陶瓷物相组成、微观形貌、热解过程、比表面积和孔径分布进行了研究.实验结果表明,热解过程中产生的SiO2纳米畴可以被HF侵蚀而作为形成孔的模版
【机 构】
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景德镇陶瓷学院材料科学与工程学院,江西景德镇333403
【出 处】
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2015中国(景德镇)高技术陶瓷国际论坛暨第九届亚洲陶瓷材料研讨会
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采用聚硅氧烷(PSO)为主要原料,在温度1200-1350℃、氩气气氛中制备块体SiOC陶瓷,通过对SiOC陶瓷HF溶液侵蚀处理,获得具有高比表面积和微介孔分布的块体SiOC陶瓷.利用XRD,SEM,TEM,DSC,BET和Raman光谱对陶瓷前驱体、SiOC陶瓷物相组成、微观形貌、热解过程、比表面积和孔径分布进行了研究.实验结果表明,热解过程中产生的SiO2纳米畴可以被HF侵蚀而作为形成孔的模版,在1300℃热解温度和后续HF侵蚀条件下,制备的SiOC陶瓷的比表面积为630.41 m2.g-1和平均孔径为2.11 nm,其物相由自由碳、SiC和非晶硅氧碳组成,多孔SiOC陶瓷在H2/CH4气体吸附和Li储存材料领域具有潜在应用前景.
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