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Ag掺杂ZnO纳米带的p型电子结构及边界效应和掺杂位点效应
Ag掺杂ZnO纳米带的p型电子结构及边界效应和掺杂位点效应
来源 :中国化学会第28届学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:nvllnvll
【摘 要】
:
纳米带是一种典型的一维纳米材料,其厚度小于其宽度,因此在不同横截面表现出迥异的限域效应和边界效应。本文应用第一性原理方法研究了Ag在单层和双层具有扶手椅边缘的ZnO
【作 者】
:
李妍璐
赵显
樊唯镏
【机 构】
:
山东大学晶体材料研究所,山大南路27号,济南,250100
【出 处】
:
中国化学会第28届学术年会
【发表日期】
:
2012年期
【关键词】
:
掺杂效应
ZnO纳米带
电子结构
边界效应
位点
一维纳米材料
第一性原理
影响规律
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纳米带是一种典型的一维纳米材料,其厚度小于其宽度,因此在不同横截面表现出迥异的限域效应和边界效应。本文应用第一性原理方法研究了Ag在单层和双层具有扶手椅边缘的ZnO纳米带中的掺杂效应,重点探讨了纳米带边界和掺杂位点对其p型电子结构的影响规律。
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