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双极晶体发光管(LET)是一种基区发光的双极型晶体管,它结合了PN结LED的发光功能与晶体管的快速开关功能。从而可望实现一种应用于低成本短距离光通信的高速光源。然而,LET调制速度的上升也伴随着其发光功率的降低,本文以实现毫瓦级稳态光输出为目标,研究了NPN型LET外延层各参数对调制速度与光功率的影响,并通过外延层设计,优化基区少子的复合发光与渡越进入集电区两种过程,平衡发光功率与调制速度,实现了调制速度250MHz,饱和输出功率0dBm,消光比大干9dB。