【摘 要】
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本文介绍了自主研发的适用于氧化物半导体薄膜外延生长的MOCVD设备组成和性能情况。采用MOCVD方法在石英玻璃衬底上进行了ZnO薄膜的异质外延生长，并在ZnO单晶衬底上进行了
【机 构】
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中国科学院福建物质结构研究所光电材料化学与物理重点实验室,福州350002
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本文介绍了自主研发的适用于氧化物半导体薄膜外延生长的MOCVD设备组成和性能情况。采用MOCVD方法在石英玻璃衬底上进行了ZnO薄膜的异质外延生长，并在ZnO单晶衬底上进行了ZnO薄膜的同质外延生长。优化了ZnO薄膜的生长参数。对异质外延生长和同质外延生长的薄膜晶体结构、光学性质以及电学性质等方面进行了对比研究。分析了MOCVD同质外延相对于异质外延的优点和存在的问题。
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