薄膜光刻工艺参数的优化

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光刻工艺涉及复杂的光化学反应和物理过程,在理论上优化各工艺参数非常困难。本文通过大量实验,对甩胶、前烘、曝光.显影、坚膜等影响光刻图像质量的工艺进行研究,得到了比较优化的工艺参数,即在5500~-6500rpm的转速下甩胶2 0~-30s,取得较均匀的光刻胶膜后,在80~-90℃下前烘20~-30min,再经过30-50mW/cm~2的曝光和20s的显影,最后经过15~-25min的100~-130℃坚膜,可得到较好的光刻图形。
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