【摘 要】
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与硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)等传统半导体材料相比，碳化硅(SiC)具有禁带宽、热导率高、介电常数小、电子饱和漂移速率快、击穿临界电场高、硬度强、熔点高、化学稳定
【出 处】
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2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
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与硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)等传统半导体材料相比，碳化硅(SiC)具有禁带宽、热导率高、介电常数小、电子饱和漂移速率快、击穿临界电场高、硬度强、熔点高、化学稳定性好等诸多特性。目前，已被作为新一代半导体材料，应用于家用电器、光伏发电、风力发电、高效电动机、混合和纯电动汽车、高速列车、智能电网、超高压输变电以及航空、航天和军工、核能等诸多领域的半导体器件中，并表现出耐压等级高、散热性能好、漏电流小、导通功耗低、抗辐照能力强等诸多优势，为半导体器件的进一步发展带来了新的希望。
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