【摘 要】
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本文分别对不同薄层电阻的扩散片制成的单晶硅太阳电池和同样薄层电阻不同频率沉积的SiNx薄膜的单晶硅太阳电池的光谱响应进行了比较,从理论上分析了随着薄层电阻的增大和采用低频(40kHz)的PECVD沉积SiNx薄膜,短波响应得到提高的原因.光谱响应峰值随着薄层电阻的增大逐渐向短波方向移动.当薄层电阻和SiNx薄膜匹配最佳时,电池的光谱响应最好,其光谱响应峰值大幅度向短波方向移动.
【机 构】
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本文分别对不同薄层电阻的扩散片制成的单晶硅太阳电池和同样薄层电阻不同频率沉积的SiNx薄膜的单晶硅太阳电池的光谱响应进行了比较,从理论上分析了随着薄层电阻的增大和采用低频(40kHz)的PECVD沉积SiNx薄膜,短波响应得到提高的原因.光谱响应峰值随着薄层电阻的增大逐渐向短波方向移动.当薄层电阻和SiNx薄膜匹配最佳时,电池的光谱响应最好,其光谱响应峰值大幅度向短波方向移动.
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