宽谱太赫兹量子级联激光器及谱应用

来源 :中国物理学会2016年秋季会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:chengbf0917
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
  太赫兹量子级联激光器(THz QCL)是一种基于子带间电子跃迁的单极发光器件。在1 到5THz 频率范围内,THz QCL 是最有效的THz 辐射源。传统的THz QCL 器件的频谱一般是窄带分布。即使在高电流下,器件发射谱也不能均一覆盖连续的频率范围。
其他文献
高性能红外探测器是红外遥感、气象预报、深空探测和军事侦察的眼睛。研制高性能红外光电探测器是国家在民用、军用关键领域的迫切需求。以传统碲镉汞(HgCdTe)、锑化铟(InSb)、铟镓砷(InGaAs)制冷型红外探测器为代表的高性能红外探测器已经广泛应用于航天航空、气象遥感、武器制导、夜视侦查。随着人类对红外探测的不断增长的需求,高性能非制冷红外探测器技术的新方向已经被提出。
会议
会议
低维电子和玻璃声子输运是提高热电材料效率的两个重要的因素,并且构成了热电研究领域的两个重要的分支。一种方式是我们可以控制低维材料的电子传输,另一种方式是在块体材料中应用声子工程。目前的工作已经能够将两者很好的结合起来,即将声子工程运用到低维材料中。本文中,我们提出了将低维电子传输运用到块体的声子玻璃晶体中,通过这种方式来增加热电效率。
会议
石墨烯及其衍生二维材料由于超高的载流子迁移率、宽光谱响应以及超薄柔韧等性能优势,被寄望于新一代光电子器件开发应用.针对石墨烯光吸收、响应率低下的问题,以及面向光电子应用的需求,近期我们从材料能带工程、结构构筑等方面着手,实现了二维材料表面等离激元、光电响应等性能的有效调控1-4.
二维层状材料过渡金属硫属化合物(TMDs)的光学和电学性质受其内部缺陷的影响非常巨大[1-3]。在本报告中,我们将通过低温荧光光谱研究TMDs 材料中的缺陷,并将其与材料的光学、电学性能相对应。我们发现,在不同温度生长获得的CVD 单层MoS2 样品,其尺寸、发光强度等随生长温度有显著变化。
稀磁半导体(Diluted magnetic semiconductors,DMSs)因兼具磁性和半导体特性而引起广泛研究,预计应用于自旋电子器件、自旋-场效应晶体管以及自旋基量子计算机等[1]。其中过渡金属掺杂的GaN 因可以实现室温铁磁成为了现在的研究焦点[2]。我们利用化学气相沉积法制备了高质量表面无缺陷的Mn 掺杂GaN 纳米线,利用扫描电子显微镜(SEM)和能谱仪(EDS)观察了其结构、
会议
采用等离子体增强原子层沉积技术在硅(100)衬底上制备了多晶AlN 薄膜,三甲基铝(TMA)和Ar/N2/H2(1:3:6)等离子体分别为Al 源和N 源的前驱体.利用X 射线衍射仪(XRD)、椭偏仪(SE)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对样品进行表征,结果表明,在温度为150-250℃范围内,薄膜生长速率随着温度的升高呈现阶梯状增加,低于或者高于该区间的生长温度,生长速率都呈现上升趋势;沉
外尔半金属材料中外尔节点附近的电子满足三维外尔方程,是具有手征性的外尔电子。与石墨烯材料中的二维狄拉克电子类似,Klein 隧穿使外尔电子能百分之百穿透台阶势垒。我们研究了量子阱或层状量子势垒结构中的外尔电子行为。能量高于半阱深的电子能够被量子阱捕获于其附近的限制态中。