【摘 要】
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本文较系统地报告InGaN多量子阱LED外量子效率(EQE)和墙插效率(WPE)的交叉现象.对高质量的InGaN多量子阱LED,在小电流密度注入下,其墙插效率大于外量子效率,说明LED处于吸热制冷状态,辐射复合载流子从晶格中吸收一定的热能,复合后发出能量高于其本身电势能的光子,且该吸热制冷效率随发光波长变长而减弱.随着电流密度增大,外量子效率逐渐超过墙插效率.外量子效率-墙插效率交叉点的电流密度和
【机 构】
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本文较系统地报告InGaN多量子阱LED外量子效率(EQE)和墙插效率(WPE)的交叉现象.对高质量的InGaN多量子阱LED,在小电流密度注入下,其墙插效率大于外量子效率,说明LED处于吸热制冷状态,辐射复合载流子从晶格中吸收一定的热能,复合后发出能量高于其本身电势能的光子,且该吸热制冷效率随发光波长变长而减弱.随着电流密度增大,外量子效率逐渐超过墙插效率.外量子效率-墙插效率交叉点的电流密度和InGaN LED的发光波长相关,波长越长,交叉电流密度越小：发光峰值波长为516,500, 450, 400 nm时,其交叉点电流密度分别是11,5.5,4,1.6 A/cm2.本文进一步用ABC载流子复合模型对外量子效率曲线进行了拟合分析,分析表明,辐射复合电流密度随注入电流密度的减速度是导致WPE-EQE交叉及外量子效率衰退的主要原因.
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本文介绍浪潮华光光电子股份有限公司在CriusⅡ机型上实现高亮度蓝光LED外延片的量产工作.我们针对Cruis Ⅱ设备的特点,设计了独特的外延结构,并对其温度、压力、流量等关键的生长参数进行细致的优化.使用该程序生长的外延片,在亮度、电压、ESD、一致性等方面均有非常良好的表现.
氮化镓基一维纳米材料由于其独特的物理性质和在电子学和光电子学上的潜在应用而备受广泛关注.GaN基纳米线已经被广泛的应用于太阳能电池,激光器,LED等领域的研究.但目前GaN纳米线的制备仍然是制约研究进展的一个重要方面.GaN纳米线的制备方法主要分催化生长和非催化生长两类.
光学微腔(MC)是指至少在一个尺度方向上腔尺寸与谐振的波长相比拟,并且具有高品质因子的光学微型谐振器.微腔中的光学限制使得光子态密度(或模式密度)产生再分布,从而形成了腔内光学模式的量子化.由于腔体积的减小,腔内通常只能存在几个光学模式的谐振,腔内的原子或者分子的自发辐射特性受到影响,从而产生激射效应.
Material characterization: a key element in the R&D and the production of Ⅲ-V semiconductor devices by MOCVD.The material characterization is very much needed in the MOCVD grownⅢ-Ⅴ semiconductor optoe
可调谐外腔激光器因具有线宽窄、效率高、波长调谐范围大等优点,在光纤通信、环境监测、生物医疗等领域具有广泛的应用.InAs/InP量子点材料因其发光波长能覆盖1.3 μm到2.1μm,其半高全宽一般大于200 nm,非常适合于大范围波长连续可调外腔激光器的需要.
近十年来,中红外量子级联激光器(QCL)在材料生长与器件性能方面得到了很大的发展,已经能够满足实际应用的绝大部分需求,同时器件工艺趋于成熟,成本逐年降低.因此,在未来十年甚至更长的时间内,量子级联激光器的应用将是痕量气体检测技术研发、产业化以及实用等方面的趋势.
GaN基隧道结构能够显著提高发光二级管(LED)的欧姆接触质量以及电流扩展特性,近几年来受到学者们的广泛关注[1].但是很多报道中的隧道结构都是利用分子束外延(MBE)设备生长的,很大程度上限制了GaN基隧道结构在LED大规模生产中的应用.
量子级联激光器(QCL)是一种单极型子带间跃迁激光器,激射波长由有源区量子阱垒厚薄组合决定.经过世界范围内众多科学家不懈努力,其性能突飞猛进[1,2].目前QCL已经成为中远红外以及THz波段最具潜力半导体激光光源之一.MOCVD作为一种优质化合物半导体薄膜材料生长工具,在QCL材料生长中扮演着重要的角色.
GaN具有直接带隙宽,大激子束缚能,高热导率等优点,是制备光电器件和高温高功率器件的优选材料,由于近年来纳米材料的研究日益增多,GaN纳米材料也引起了广泛关注,GaN纳米材料与薄膜材料相比优点是纳米结构中存在应变弛豫可以降低缺陷密度,这能够在很大程度上提高GaN基LED的内量子效率.
Ⅲ族氮化物发光二极管(LED)固体照明器件目前正在向大功率和长波段推进.由于InGaN/GaN量子阱结构中大晶格失配和强极化效应,导致LED在长波段发光效率大幅下降,被称为"绿光缺失"问题.在本报告中,我们发明的紫外软压印技术采用经过特殊处理的软模板,使转移图形具有更佳的形状和更少的缺陷,特别适合在InGaN/GaN量子阱这类具有较高缺陷密度的材料上大面积制备纳米结构.