【摘 要】
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量子级联激光器(QCL)是一种单极型子带间跃迁激光器,激射波长由有源区量子阱垒厚薄组合决定.经过世界范围内众多科学家不懈努力,其性能突飞猛进[1,2].目前QCL已经成为中远红外以及THz波段最具潜力半导体激光光源之一.MOCVD作为一种优质化合物半导体薄膜材料生长工具,在QCL材料生长中扮演着重要的角色.
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体材料重点实验室,北京100083
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量子级联激光器(QCL)是一种单极型子带间跃迁激光器,激射波长由有源区量子阱垒厚薄组合决定.经过世界范围内众多科学家不懈努力,其性能突飞猛进[1,2].目前QCL已经成为中远红外以及THz波段最具潜力半导体激光光源之一.MOCVD作为一种优质化合物半导体薄膜材料生长工具,在QCL材料生长中扮演着重要的角色.
其他文献
近年来,对于GaN基纳米柱发光二级管(LED)的探索有了突飞猛进的发展.纳米柱LED相比于大尺寸LED具有很多突出优点,比如位错密度低,应力失配小,注入效率高,大注入下高效工作,消除导波模式等等.GaN基纳米柱LED的制备方法包括"自下而上"和"自上而下"两大类方法."自上而下"的方法是在高质量的GaN基LED外延片上,利用纳米尺寸的掩膜,进行湿法或干法腐蚀,得到纳米柱阵列.
由于GaN纳米材料具有不同于体材料的独特性质及其在电子学、光子学、超高密度存储等方面的广泛的应用前景,近年来关于GaN纳米结构的研究越来越受到人们的关注,一种新的GaN纳米结构的制备方法迅速跃入人们的视野:用自组织的镍纳米岛作为掩膜来进行GaN纳米结构的制备.本文采用上述方法进行GaN纳米柱的制备.
使用自主研发的MOCVD设备进行非掺杂GaN外延工艺试验.MOCVD反应室为19×2"结构,垂直格栅式喷淋进气,分段式电阻加热并使用Laytec光学温度监测系统进行控温.采用传统的"低温GaN成核层+高温GaN"的外延工艺,使用蓝宝石平面衬底,高温GaN的生长温度为1060℃,反应室压力260Torr,载片盘转速1200RPM.
本文介绍浪潮华光光电子股份有限公司在CriusⅡ机型上实现高亮度蓝光LED外延片的量产工作.我们针对Cruis Ⅱ设备的特点,设计了独特的外延结构,并对其温度、压力、流量等关键的生长参数进行细致的优化.使用该程序生长的外延片,在亮度、电压、ESD、一致性等方面均有非常良好的表现.
氮化镓基一维纳米材料由于其独特的物理性质和在电子学和光电子学上的潜在应用而备受广泛关注.GaN基纳米线已经被广泛的应用于太阳能电池,激光器,LED等领域的研究.但目前GaN纳米线的制备仍然是制约研究进展的一个重要方面.GaN纳米线的制备方法主要分催化生长和非催化生长两类.
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Material characterization: a key element in the R&D and the production of Ⅲ-V semiconductor devices by MOCVD.The material characterization is very much needed in the MOCVD grownⅢ-Ⅴ semiconductor optoe
可调谐外腔激光器因具有线宽窄、效率高、波长调谐范围大等优点,在光纤通信、环境监测、生物医疗等领域具有广泛的应用.InAs/InP量子点材料因其发光波长能覆盖1.3 μm到2.1μm,其半高全宽一般大于200 nm,非常适合于大范围波长连续可调外腔激光器的需要.
近十年来,中红外量子级联激光器(QCL)在材料生长与器件性能方面得到了很大的发展,已经能够满足实际应用的绝大部分需求,同时器件工艺趋于成熟,成本逐年降低.因此,在未来十年甚至更长的时间内,量子级联激光器的应用将是痕量气体检测技术研发、产业化以及实用等方面的趋势.
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