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用磁过滤弧法在单硅、熔凝石英以及硼硅玻璃衬底上生长了ｔａ－Ｃ膜。用椭偏仪、ＸＰＳ谱技术、以及Ｒａｍａｎ光谱技术对不同靶偏压条件下生长的ｔａ－Ｃ膜膜进行了研究。对于硅单晶衬底上生长的ｔａ－Ｃ膜，靶偏压在－１００伏附近有最接近金刚石的折射率值。在－８０伏的靶偏压下生成的ｔａ－Ｃ膜的ＳＰ〈’３〉键的含量为７８．８℅。