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利用第一性原理密度泛函理论(DFT)的广义梯度近似(GGA)平面波赝势法,对理想GaN在高压下的弹性性质、能带结构、电子态密度和光学性质进行了系统的研究,计算分析出的结果可以为GaN的设计与应用提供理论据.
高压下GaN的电子结构及光学性质研究
【摘 要】
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利用第一性原理密度泛函理论(DFT)的广义梯度近似(GGA)平面波赝势法,对理想GaN在高压下的弹性性质、能带结构、电子态密度和光学性质进行了系统的研究,计算分析出的结果可以
【机 构】
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郑州轻工业学院技术物理系,郑州450002
【出 处】
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第七届全国青年计算物理学术交流会
【发表日期】
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2013年8期
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