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介绍了一种利用AT89 C51单片机开关控制压电陶瓷微位移器位移的方法，通过单片机的定时器，在安全的TTL电平下实现对压电陶瓷应变片的高压开关控制.该功能是通过选择合适的耐压场效应管实现的，综合开关速率、耐压性、关断电流等方面的因素，采用的场效应管是IRF610型.作出对压电器件、场效应管的选择以及压电陶瓷应变片的单片机驱动电路的设计，并给出了该系统的控制程序.最后对系统进行了仿真实验，仿真结果表明：驱动电压增大，输出位移量也增大，在驱动电压140～200V时，电压增大和减小2个方向测量得到的位移-电压曲线不是重合的，这表明了压电陶瓷的测量迟滞性，驱动电压在150～190V时，函数的线性度最好，两者的迟滞性误差也最小，据此我们可以选择驱动电压范围为150～190V.