基于表面势的MOSFET模型的模拟技术研究

来源 :中国电子学会电路与系统学会第十六届年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lleii
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基于表面势的MOSFET模型与传统的基于阈值电压的MOSFET模型相比,具有连续性好、物理意义明晰、精确性高等特点,在小尺寸器件及RFIC的建模中日益受到重视.但是基于表面势的模型的缺点是计算量大,因此限制了它的应用.本文中针对基于表面势模型中关键的用迭代法求解表面势的过程,提出了一种较为精确的初始猜值算法,可以大大地提高计算效率.
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