添加TiB、TiC对BC陶瓷组织和性能影响

来源 :第四届全国工程陶瓷学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:naonao6521
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研究了B<,4>C-TiB<,2>-TiC复合材料的显微组织和力学性能。发现含有10vol℅TiB<,2>和20-30vol℅TiC的B<,4>C复合材料强度和韧性较高。TiB<,2>-30vol℅TiC-60vol℅B<,4>C材料的抗弯强度达到462MPa,断裂韧性为82MPa·m<1/2>,较单相B<,4>C材料有显著提高。复合材料的主要增韧机制为微裂纹增韧和裂纹偏转增韧,强化机制为细晶强化及第二相数子强化。
其他文献
就用BC在H所氛中硼热/碳热直接还原TiO合成TiB工艺进行初步探讨。研究了原料配比及工艺条件对合成的粉末纯度、粒度及其分布、相结构和形貌的影响。结果表明,原料配比和合成温度是影响粉末质量的关键因素。通过选择适当的原料配比和合成温度,可制得结晶完整,粒度细,纯度高的TiB粉末,而且其生产效率高,工艺稳定可靠。
采用X-射线衍射法,研究了纳米晶Dy-SrCoO(0.0≤x≤1.0)的晶体结构。结果表明:纳米晶Dy-SrCoO的晶形、晶胞参数、晶格畸变,与其组成密切相关。x=0.0~0.5的复合氧化物均为正交晶系,x=0.6~0.9的氧化物则为四方晶系,x=1.0的氧化物为六方晶系,纳米晶Dy-SrCoO的晶胞参数,大于同组成微米晶的晶胞参数。
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研究了添加剂Al、Ni以及Ar、N烧成气氛对BN-AIN-TiB导电复合陶瓷密度和导电性能的影响。结果表明,添加剂Al或Ni可以明显提高制品的密度和导电率。在相同密度情况下,加Ni配方的导电率增加比加Al要显著加Al配方在N烧成气氛中,由于坯体内部和边沿中的Al与N的反应程度不一致,造成制品的电阻率不均匀。
对氮化硅无压烧结的工艺进行了初步研究,MgO和CeO作为烧结助剂有利于氮化硅的无压烧结过程,并提高其致密度,并分析了SiN粉末形貌及粒度分布与其制品性能之间的关系,讨论了各种工艺参数以及MgO和CeO的含量对氮化硅的致密化及力学性能的影响。无压烧结的SiN-MgO-CeO陶瓷,其相对密度可超过98℅,抗弯强度达到900MPa,已成功地应用于切削刀具、结构零件等领域。
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