宽光谱响应GaSb/GaAs量子点复合结构太阳能电池研究

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GaN表面在MOCVD过程的吸附和扩散

在MOCVD生长中,GaN表面因其晶向不同展现出不同的生长过程.本文利用Material Studio Adsorption Lo cater模块,研究了NH3、NH2、NH和 GaCH3在GaN(0001)-Ga和GaN(000(1))-N极性面上的吸附,寻找了在初始状态下各吸附物在清洁表面的最稳定吸附位,并得到了最低吸附能.

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LED产业MOCVD设备专利态势、技术分析及发展策略研究

本文从专利的角度研究LED产业技术制高点之一的MOCVD设备技术的竞争格局和发展趋势.选择THOMSON的DWPI数据库和广东省专利信息服务平台的国家知识产权局全领域代码化专利数据库进行专利检索(截止时间2011年12月31日),分别从整体产业、国家(地区)、广东省、技术构成以及主要公司来华专利布局等方面,研究了中国和广东省MOCVD设备专利技术发展态势、布局情况,并对LED产业MOCVD设备专利

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LEDMOCVD设备专利布局战略建议

极化与掺杂浓度对GaN/AlGaN量子阱发光特性的影响

Ⅲ族氮化物具有直接带隙禁带宽度大、临界击穿场强高、电子饱和漂移速度大、热导率高以及化学稳定性和热稳定性好等优点,在国际上得到了广泛的研究,并为红外-紫外双色集成探测器的实现提供了可能性.基于Ⅲ族氮化物的GaN/AlGaN量子阱相比传统的GaAs体系量子阱具有更大的优势,其导带可调带阶高达2 eV,更容易实现在1.55 μm光通讯波段的子带间跃迁[1,2],有更好的信噪比,而且在1.55 μm的子带

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同质外延GaN紫外探测器研究

GaN基材料具有宽禁带、抗辐射和耐高温的特点,非常适合于制作高灵敏的紫外探测器,并且在导弹羽烟探测、火焰探测、环境监测、化学/生物试剂探测以及空间通信领域具有潜在的应用价值.为了改进GaN基紫外探测器的性能,非常关键的是如何降低器件的暗电流以及提高器件的热稳定性.

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MOCVD装备研制中的协同创新

金属有机化学汽相沉积(MOCVD)技术的不断进步,推动了化合物半导体材料及器件的不断发展,而半导体物理的新理论、新器件、新材料的提出、又带动了MOCVD技术的不断进步.近几年,半导体照明产业的高速发展,不仅带动了MOCVD装备产业的高速发展,也极大推动了MOCVD设备的技术进步,同时我国的MOCVD装备的制造技术,也获得突破性进展.

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蓝宝石衬底上基于多周期大温差高低温调制方法的AlN薄膜外延生长研究

高Al组分AlGaN(Al组分大于40％)是制备深紫外发光和探测器件不可替代的半导体体系,在白光照明、消毒净化、生化检测、紫外日盲探测等领域有广泛应用[1].由于与AlGaN晶格匹配度良好、具有宽的禁带宽度和高的热导率,AlN被广泛用作AlGaN材料的缓冲层,其晶体质量很大程度上决定了AlGaN和量子阱有源区的表面形貌和位错密度.

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在半绝缘HVPE GaN∶Fe模板上制备的MSM紫外光探测器

GaN基宽禁带半导体材料由于具有良好的光学和电学特性,是制备紫外光探测器件的优选材料.氢化物气相外延(HVPE)生长技术由于其低成本、高生长速率是目前制备GaN厚膜的主要方法之一.在本项工作中,我们在HVPE生长的半绝缘GaN∶Fe模板上直接制备了金属-半导体-金属(MSM)结构的紫外光探测器,并对其性能进行了测试与分析.

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p-i-n结构的日盲紫外探测器在正照射与背照射模式下性能的比较

我们采用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长AlGaN基p-i-n结构的日盲紫外探测器,其具体结构为p-Al0.4Ga0.6N/i-Al0.4Ga0.6N/n-Al0.6Ga0.4N异质结.我们分别对该探测器在正照射和背照射条件下的性能进行了测试,并将测试结果进行比较,比较结果发现:背照射模式下该日盲紫外探测器的响应度是正照射模式下响应度的三倍;背照射模式对该日盲紫外探测器的侧峰响应有明显的抑制作用,

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硅衬底上InGaAs/GaSb异质结纳米线自催化生长

InAs和GaSb这两种Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线由于具有极其优异的电子输运特性和小能隙能谱结构,可作为研制新型高性能纳米电子器件的材料.InAs材料属于n-型窄带隙半导体材料,是Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中电子载流子迁移率较高、电子有效质量较小的半导体材料,因此是研制高性能场效应电子器件的理想材料.

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宽光谱响应GaSb/GaAs量子点复合结构太阳能电池研究

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