【摘 要】
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报道了一种两段式1.08um InGaAs量子阱锁摸激光器.量子阱材料由MBE生长，可饱和吸收区和增益区经过重新设计.可饱和吸收区作为被动锁摸的关键部分，可以针对更高的功率或更短
【机 构】
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中国科学院半导体研究所超晶格重点实验室,北京100083
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报道了一种两段式1.08um InGaAs量子阱锁摸激光器.量子阱材料由MBE生长，可饱和吸收区和增益区经过重新设计.可饱和吸收区作为被动锁摸的关键部分，可以针对更高的功率或更短的脉宽做不同的优化.当增加吸收区长度时，锁摸需要更高的注入电流和更小的反偏电压，而得到较大平均功率和较大脉宽的短脉冲输出.经过结构的优化，未镀膜的器件在650mA的注入电流和1.2V反偏电压下获得了80mw的平均功率和16ps左右的脉冲输出.
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