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Si基集成电路按照摩尔定律已快速发展了半个世纪,然而由于晶体管尺寸已接近理论极限,摩尔定律的有效性正面临挑战.Si基高迁移率材料和Si基光电集成是目前被广泛看好的继续提升集成电路性能的两个主要途径.同为Ⅳ族材料的GeSn合金在上述两个领域都具有广阔的前景.通过对Sn的含量的控制,可以调控GeSn的能带结构,从而获得远高于Ge和Si的载流子迁移率,用以构建高速晶体管的沟道,而当Sn的浓度超过6.5％时,GeSn将从间接带隙材料转变成直接带隙材料[1],有望解决Si基光电集成中的光源这一主要瓶颈.