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采用热压烧结法制备获得(K0.5Na0.5)NbO3 无铅压电陶瓷.获得的陶瓷结构致密,具有纯正交铁电相,平均晶粒尺寸约为120 纳米.室温下,陶瓷具有较高的介电常数(er=850)和较低的损耗(tand=0.02),陶瓷的电阻率R > 1011 W×cm,压电常数d33=120 pC/N,剩余极化强度Pr=17.3 μC/cm2(测试电压为100 kV/cm),矫顽场Ec=16 kV/cm(测试电压为100 kV/cm).扫描探针显微镜观察发现,微区内电畴随外加电场的改变发生明显偏转.