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随着深亚微米时代的到来,工艺的不断进步,器件尺寸成比例缩小,IC的抗静电能力显得更加重要,本文综述了部分器件结构,参数及工艺流程对器件抗ESD性能的影响.
器件结构参数及工艺对ESD的影响
【摘 要】
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随着深亚微米时代的到来,工艺的不断进步,器件尺寸成比例缩小,IC的抗静电能力显得更加重要,本文综述了部分器件结构,参数及工艺流程对器件抗ESD性能的影响.
【机 构】
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华南理工大学微电子研究所,广州,510640
【出 处】
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2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会
【发表日期】
：
2005年期
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