非晶質碳夾層對鋁/氧化鋅/鋁電阻式記憶體效應之影響

来源 :2016年台湾陶瓷学会年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yingq
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  本論文研究於鋁/氧化鋅/鋁電阻式記憶體中於碳鋁界面插入非晶質碳夾層對電阻轉換效能之影響。有非晶質碳夾層的元件其讀寫次數與效應有顯著的提升。透過以退火的方式模擬讀寫時的受熱情形並以拉曼光譜的分析,可以觀察到非晶質碳/鋁的界面經退火後,可以使sp2 的鍵結增加,而這些sp2 的鍵結可進而形成氧化鋅在進行高低電阻態時,氧離子的儲存庫,進而重複地提供氧離子使讀寫的次數與效能提升。這樣的研究將有機會應用於未來電阻式記憶體的製程上。
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