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利用有机介质层制各项栅结构的氧化铟锌薄膜晶体管(IZO-TFT)。由直流反应磁控溅射法室温沉积IZO沟道层，浸渍提拉法制备聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)介质层，热蒸发法制备Al电极。所制备的IZO-TFT饱和迁移率为7.67 cm2V-1s-1，介质层/沟道层表面平整，可见光区平均透射率高于85％，在平板显示和柔性电子学方面具有潜在的应用前景。