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用300℃ PECVD工艺，在50μm厚的Kapton E高分子塑料片上制备了20×20的底栅结构a-Si：H TFT阵列。用傅里叶变换红外光谱仪表征了a-Si：H薄膜的结构，用二探针法和四探针法分别表征了a-Si：H薄膜和n+a-Si：H薄膜的电导率。a-Si：H薄膜中的H含量约为15.6％(原子比)，H主要以Sill和SiH2基团的形式存在，其电导率为8.2×10～S/cm-8.8×10-6S/cm之间；n+a-Si：H薄膜电导率为3.8×10～S/cm。所制备的TFT具有以下性能：Ioff≈1×10-14A,Ion≈1×10-9A，Ion/Ioff≈105，Vth≈5v,μ≈0.113cm2/(V.s)，S≈2.5V/dec，满足TFT-LCD等平板显示器件的开关寻址电路要求。