【摘 要】
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本论文对水平梯度冷凝法生长高品质ZnGeP2晶体进行了研究，为国内首次.使用自制的双温区机械震荡管式炉进行ZnGeP2多晶合成，单次合成量超过500g；采用水平梯度冷凝法在自制多温区水平晶体生长炉中进行晶体生长，成功生长出350-395g大尺寸单晶，最大尺寸达25×32×165mm3.
【机 构】
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中国工程物理研究院化工材料研究所 四川省新材料研究中心
【出 处】
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第17届全国晶体生长与材料学术会议
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本论文对水平梯度冷凝法生长高品质ZnGeP2晶体进行了研究，为国内首次.使用自制的双温区机械震荡管式炉进行ZnGeP2多晶合成，单次合成量超过500g；采用水平梯度冷凝法在自制多温区水平晶体生长炉中进行晶体生长，成功生长出350-395g大尺寸单晶，最大尺寸达25×32×165mm3.
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