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本研究利用纳米空腔时对氧吸附的特性,探索新的SOI制备技术,氦-氧共注入纳米孔氧化埋层SOI.
纳米孔氧化埋层SOI材料制备探索
【摘 要】
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本研究利用纳米空腔时对氧吸附的特性,探索新的SOI制备技术,氦-氧共注入纳米孔氧化埋层SOI.
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室(上海)
【出 处】
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第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议
【发表日期】
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2001年期
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