【摘 要】
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利用基于金兹堡-郎道(TDGL)方程的相场计算方法,用有限元法以及有限差分法分别计算了弹性能以及静电能,模拟了铁电材料与基底间的界面电场以及铁电材料与电极间的残余应力对FeFET畴结构的影响及其演变过程.进一步结合标准的MOSFET器件方程,模拟了界面电场、残余应力对金属-铁电层-绝缘层-半导体(MFIS)结构的FeFET的P-V C-V以及I-Ⅴ等电学性能的影响.FeFET器件结构决定了其铁电层
【机 构】
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湘潭大学材料与光电物理学院,湖南湘潭411105 湘潭大学低维材料及其应用技术教育部重点实验室,湖
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利用基于金兹堡-郎道(TDGL)方程的相场计算方法,用有限元法以及有限差分法分别计算了弹性能以及静电能,模拟了铁电材料与基底间的界面电场以及铁电材料与电极间的残余应力对FeFET畴结构的影响及其演变过程.进一步结合标准的MOSFET器件方程,模拟了界面电场、残余应力对金属-铁电层-绝缘层-半导体(MFIS)结构的FeFET的P-V C-V以及I-Ⅴ等电学性能的影响.FeFET器件结构决定了其铁电层会存在较大的界面电场和残余应力,通过铁电畴的翻转变化,可以体现出界面电场及残余应力对FeFET电学性能影响的变化过程,将有助于理解铁电存储器失效机制,提高FeFET存储器的性能.
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A CVPE (Chloride Vapor Phase Epitaxy) reactor was built to grow high purity epitaxial GaAs layers.The reactor is made of high purtity quartz and designed to minimize air leaks.The epitaxial layer is g
利用分数阶黏弹单元替代经典模型中的黏壶,结合非晶合金的微观结构演化机理,建立了以分数阶微积分表示的黏弹和黏塑性本构模型,通过推导模型的蠕变柔量进一步得到块体非晶合金在纳米压痕保载阶段的蠕变位移与时间关系式.基于所建分数阶模型分别对块体非晶合金在表观弹性区域及高于屈服载荷下的室温蠕变行为进行力学比拟,分析了块体非晶合金的黏弹和黏塑性流变性能.研究结果表明:分数阶流变模型相较于整数阶模型能更好地拟合蠕
本文采用以ART (Activation-Relaxation Technique)为基础的原子模拟加速技术结合NEB (Nudged Elastic Band)方法探索特定应力环境下金属中不同种类缺陷相互作用时的PEL(Potential Energy Landscape),为定量描述此类金属微结构演化过程的应变率敏感性提供依据.依据对反应路径(Reaction Pathway)的探索发掘出热力
铁电薄膜的阻变效应具有高可靠、高开关比、高速、高产率和低功耗等特性,在数据存储方面具有巨大的潜在应用优势.同时,铁电薄膜基阻变存储器有望实现多功能存储器件的应用.相对于高质量的外延铁电薄膜,多晶铁电薄膜具有制备工艺简单、对基底材料要求低、成本低等优势.因此,研究多晶铁电薄膜的阻变效应对促进铁电薄膜基阻变存储器的实际应用具有重大意义.然而,多晶铁电薄膜中阻变的物理机制尚未完全清晰.
Piezoresistive effect is an important property of conductive polymer composites (CPCs), but it is still unclear that the conductive behavior of the composite under dynamic loading.To characterize such
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压电响应力显微技术(PFM)已经成为在纳米尺度表征压电、铁电材料中力电耦合响应的重要工具,然而由于导电探针在材料内部会引起高度非均匀和局域性的电场,使得基于PFM技术的定量分析仍然存在很大的困难.为此,我们假定压电材料为横观各向同性压电介质,考虑空气和半空间压电材料间的力电耦合作用,采用Hankel积分变换方法和等效点电荷模型近似,建立了一套分析PFM响应的力电全耦合方法.运用该方法,我们首先考虑