The quantitative characterization of undoped LEC semi-insulating GaAs by deep levels T2/T3 ratio of

来源 :第十三次全国物理力学大会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:mayy01
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More than 10 deep levels have been measured by thermally stimulate current spectroscopy in LEC undoped semi-insulating GaAs.They were come from some crystal defects and their complex compounds.The energy levels can be calculated by Arrhenius plots or approximate equation.Two of them T2 and T3 are very important deep levels that maybe from AsGa,+ VGa (As rich) and VAs +GaAs.(Ga rich) respectively.T2/T3 ratio is closely related with stoichiometry, resistivity, mobility, EL2, thermally stability, photo-quench et al.Higher the T2/T3 ratio, better the crystal quality.
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