高品质TCO薄膜在硅基异质结太阳电池(SHJ)的应用

来源 :2016新能源新材料研究生论坛 | 被引量 : 0次 | 上传用户：visualhoxygen

【摘要】

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　　本文采用反应等离子沉积方法分别制备了锡掺杂的氧化铟(ITO)和钨掺杂的氧化铟(IWO)薄膜，并研究氧气与氩气的比例(Ro)对ITO 和IWO 薄膜光电性能的影响.通过优化工艺，制备了

【作者】

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沈磊磊石建华刘正新孟凡英

【机构】

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新能源技术中心中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,201800

【出处】

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2016新能源新材料研究生论坛

【发表日期】

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2016年期

【关键词】

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高品质 TCO 薄膜硅基异质结太阳电池 ITO 氧化铟透过率

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　　本文采用反应等离子沉积方法分别制备了锡掺杂的氧化铟(ITO)和钨掺杂的氧化铟(IWO)薄膜，并研究氧气与氩气的比例(Ro)对ITO 和IWO 薄膜光电性能的影响.通过优化工艺，制备了透过率超过95％的ITO 薄膜和迁移率超过80cm2/V.s 的IWO 薄膜.虽然IWO 的电导率和透过率均比ITO 差，但由于其低的自由载流子寄生吸收，基于IWO 的SHJ 太阳电池光电转化效率超过22％，比基于ITO 的SHJ 太阳电池高0.6％.

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