亚微米Cu(In,Ga)Se2太阳能电池中的缺陷研究

来源 :第十四届中国光伏大会暨2014中国国际光伏展览会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hahaha123789

【摘要】

：

高效率薄层(<1 um)Cu(In,Ga)Se2 (CIGS)太阳能电池技术对进一步降低太阳能电池生产成本具有重要意义.本组通过改变Ga 含量优化带隙,成功制备了效率高达17.52％的薄层CIGS 电池.本文采用CV、DLCP、AS、IVT 等手段研究了不同Ga 含量对薄层CIGS 中缺陷态的影响.变温IV 测量显示,在我们的薄层CIGS 电池中,体复合占主导作用.

【作者】

：

尹苓杨春雷程冠铭冯叶李朝辉肖旭东

【机构】

：

香港中文大学物理系,香港;中国科学院深圳先进技术研究院光伏太阳能研究中心,深圳 518055 中国

【出处】

：

第十四届中国光伏大会暨2014中国国际光伏展览会

【发表日期】

：

2014年5期

【关键词】

：

CIGS 亚微米缺陷

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