【摘 要】
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从2007 年来,拓扑绝缘体吸引了众多的目光,成为炙手可热的明星材料.其中硒化铋因为拥有0.3 电子伏的大的体带隙以及简单的表面能带关系,成为大家普遍关注的热点.1 参考之前同行们的工作,在众多的合成制备方法中,我们选择了物美价廉的CVD 方法.经过不断的摸索,我们成功的合成了大面积高产量的高品质硒化铋纳米片阵列.
【机 构】
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北京大学物理学院介观物理国家重点实验室, 北京100871,中国 都柏林三一学院物理系及CRANN
【出 处】
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中国物理学会2012年秋季学术会议
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从2007 年来,拓扑绝缘体吸引了众多的目光,成为炙手可热的明星材料.其中硒化铋因为拥有0.3 电子伏的大的体带隙以及简单的表面能带关系,成为大家普遍关注的热点.1 参考之前同行们的工作,在众多的合成制备方法中,我们选择了物美价廉的CVD 方法.经过不断的摸索,我们成功的合成了大面积高产量的高品质硒化铋纳米片阵列.
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